895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）概述
该产品是一款GaAs VCSEL芯片，具有894.6 nm的激光波长和单模辐射特性。
895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）参数
波长 / Wavelength : 894.6 nm
类型 / Type : VCSEL芯片（裸片）
正向电压 / Forward Voltage : 1.78 V
芯片技术 / Chip Technology : GaAs VCSEL
应用行业 / Application Industry : 原子钟，磁力计
输出功率 / Output Power : 0.3 mW
阈值电流 / Threshold Current : 0.61 mA
操作/焊接温度 / Operation/Solder Temperature : -20°C-110°C
储存温度 / Storage Temperature : -40°C-125°C
正向电流(保持单模) / Forward Current To Remain Single Mode : max.1.5mA
正向电流 / Forward Current : max. 3mA
反向电压 / Reverse Voltage : Not designed for reverse operation
静电放电耐受电压 / ESD Withstand Voltage : max. 250V
正向电压 / Forward Voltage : typ. 1.78V
输出功率 / Output Power : typ. 0.3mW
阈值电流 / Threshold Current : typ. 0.61mA
斜率效率 / Slope Efficiency : typ. 0.37W/A
单模抑制比 / Single-Mode Suppression Ratio : min. 20dB
偏振消光比 / Polarization Extinction Ratio : min. 15dB
峰值波长(真空) / Peak Wavelength (Vaccum) : 894.1nm-895.1nm
光谱线宽 / Spectral Linewidth : max. 100MHz
FM调制带宽 / FM Modulation Bandwidth : min. 4.6GHz
波长温度系数 / Temperature Coefficient Of Wavelength : typ.0.06nm/K
视场角(FWHM) / Field Of View At FWHM : typ. 12°
视场角(1/e2) / Field Of View At 1/E2 : typ. 20°
895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）应用
1.原子钟
2.磁力计
895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）特征
1.封装描述：裸片
2.芯片技术：GaAs VCSEL
3.激光波长：894.6 nm
4.辐射特性：单模
5.静电放电：250 V，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, Class 1A)标准
895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）详述
低发散角
圆形梁剖面
单光谱和空间模式
窄光谱宽度
在温度和电流范围内稳定的SM光束发散发射
沿芯片边缘定向的线性稳定极化
895nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片（裸片）图片集
光电查介绍
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